IBM, Globalfoundries и Samsung Electronics планируют показать общественности свои наработки следующего поколения в области производства чипов

Исследователи из Наноструктурного центра при Копенгагенском университете (Дания) разработали технологическую платформу, позволяющую получать компоненты для молекулярной электроники с использованием изумительного материала — графена.

Группа физиков из Великобритании, Нидерландов, России, Португалии и США, возглавляемая лауреатами Нобелевской премии Андреем Геймом и Константином Новосёловым, изготовила графеновый транзистор необычной, «вертикальной» компоновки.

Ученые из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL, Швейцария) разработали технологию создания 3D-чипов.

На сайте правительства РФ появилось сообщение об установлении нулевых пошлин на процессоры размером до 32 нм, для обозначения которых установлен специальный код ТН ВЭД.

В лабораториях IBM исследователям удалось недавно создать углеродный транзистор, размер которого составляет всего 9 нм.

Основная цель новой программы заключается в разработке экономически эффективной технологии крупносерийного производства гибких активно-матричных OLED-дисплеев.

Разработки будут заключаться в следующем: технология масочной УФ-фотолитографии PHABLE™ компании Eulitha будет встраиваться в автоматизированную платформу оборудования для совмещения маски EVG с целью обеспечения возможностей для производства светодиодов высокой яркости.

Ученые из университета Иллинойса, США разработали новые реактивные серебряные чернила для печати высокоэффективной электроники на  распространенных недорогих материалах, таких как гибкие пластики, бумага или ткань.

Австралийские физики заявляют, что ими создана проволока из кремния толщиной в четыре атома и высотой в один атом.