Ученые обнаружили, что полупроводниковый материал нитрид галлия (GaN) нетоксичен и совместим с человеческими клетками.

Физики из США и Италии доказали, что внешнее электрическое поле, приложенное перпендикулярно образцу трёхслойного графена, может сформировать в нём довольно большую запрещённую зону.

Касательно индустрии производства полупроводников одной из первых свое дальнейшее видение рынка представила тайваньская компания TSMC.

Микроэлектронное устройство, созданное южнокорейскими учёными, способно отталкивать жидкости подобно листу лотоса.

Два крупнейших производителя памяти Micron и Samsung основали консорциум, к которому присоседились Altera, Open-Silicon и Xilinx для коллективной разработки и внедрения спецификаций открытого интерфейса нового типа памяти Hybrid Memory Cube (HMC).

Для получения подобного приспособления группа исследователей под руководством директора Института нанотехнологий Техасского университета в Далласе (США) Роя Бомана вырастила «лес» из углеродных нанотрубок высотой 0,4 мм и диаметром около 12 нм каждая.

Совместная разработка Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) и компании STMicroelectronics потребляет всего 10,2 пикоджоулей за такт при напряжении 0,54 В.

По словам президента полупроводникового бизнеса Samsung Electronics О Хьюн Квона (Oh-Hyun Kwon), в связи с тем, что в мировой экономике продолжает наблюдаться нестабильность, рост полупроводниковой индустрии замедлится в 2012 году.

Производители полупроводников считают алмазы очень перспективным материалом для изготовления износоустойчивых микромашин.

Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов.